| Artikelnummer | BSC080P03LS G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 122.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6140pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC080N03LS | INFINEON | BSC080N03LS INFINEON P-TDSO.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BSC080N03LSG | INFINEON | BSC080N03LSG INFINEON TSON-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSC080N03MS | INFINEON | BSC080N03MS INFINEON TDSON-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BSC080N03MSG | INFINEON | BSC080N03MSG INFINEON TDSON-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSC080P03LS G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSC080P03LSG | INFINEON | BSC080P03LSG INFINEON QFN New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BSC080P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | Einzelheiten |
|
BSC082N10LSG | INFINEON | BSC082N10LSG INFINEON QFN New Original Stocks | Einzelheiten |
