BSC052N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSC052N03LSATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TDSON-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSC052N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8	Einzelheiten
BSC052N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8	Einzelheiten
BSC052N03S G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8	Einzelheiten
BSC052N03SG	INFINEON	BSC052N03SG INFINEON TSON-8 New Original Stocks	Einzelheiten
BSC052N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON	Einzelheiten