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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › BSC050N03LS G
BSC050N03LS G

BSC050N03LS G - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSC050N03LS G
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSC050N03LS G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
150000 pcs
Referenzpreis
USD 0.3297/pcs
Unser Preis
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BSC050N03LS G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSC050N03LS G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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