BSC020N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSC020N03MSGATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TDSON-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSC020N025S G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8	Einzelheiten
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