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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › BSC014N06NSTATMA1
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSC014N06NSTATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
DIFFERENTIATED MOSFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSC014N06NSTATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
98100 pcs
Referenzpreis
USD 1.67838/pcs
Unser Preis
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BSC014N06NSTATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSC014N06NSTATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 120µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8125pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3W (Ta), 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8 FL
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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