BSB014N04LX3GXUMA1

BSB014N04LX3GXUMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSB014N04LX3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
167475 pcs
Referenzpreis
USD 0.98313/pcs
Unser Preis
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BSB014N04LX3GXUMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSB014N04LX3GXUMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Fall 3-WDSON
Gewicht -
Ursprungsland -

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