BFS 483 E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BFS 483 E6327
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen	19dB
Leistung max	450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 15mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	65mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	PG-SOT363-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BFS 460L6 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6	Einzelheiten
BFS 466L6 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6	Einzelheiten
BFS 469L6 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6	Einzelheiten
BFS 481 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363	Einzelheiten
BFS 483 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363	Einzelheiten