BFR 193L3 E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BFR 193L3 E6327
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen	12.5dB ~ 19dB
Leistung max	580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 30mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	80mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket	PG-TSLP-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BFR 106 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181 E6780	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75	Einzelheiten
BFR 181W E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323	Einzelheiten
BFR 182 B6663	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 182 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 182T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75	Einzelheiten
BFR 182W E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323	Einzelheiten
BFR 183 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten