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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › BFP 520F E6327
BFP 520F E6327

BFP 520F E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BFP 520F E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BFP 520F E6327 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3957 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BFP 520F E6327 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BFP 520F E6327
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3.5V
Frequenz - Übergang 45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.95dB @ 1.8GHz
Gewinnen 22.5dB
Leistung max 100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 4-TSFP
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BFP 520F E6327 BFP 520F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Einzelheiten
BFP 540F E6327 BFP 540F E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Einzelheiten