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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › BF771E6327HTSA1
BF771E6327HTSA1

BF771E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BF771E6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BF771E6327HTSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BF771E6327HTSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
275462 pcs
Referenzpreis
USD 0.0918/pcs
Unser Preis
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BF771E6327HTSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BF771E6327HTSA1
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen 10dB ~ 15dB
Leistung max 580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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