BDP949H6327XTSA1 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
BDP949H6327XTSA1 |
| Teilstatus |
Last Time Buy |
| Transistor-Typ |
NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 200mA, 2A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 500mA, 1V |
| Leistung max |
5W |
| Frequenz - Übergang |
100MHz |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket |
PG-SOT223-4 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR BDP949H6327XTSA1
