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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › BCR196WH6327XTSA1
BCR196WH6327XTSA1

BCR196WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BCR196WH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BCR196WH6327XTSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
980855 pcs
Referenzpreis
USD 0.0269/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BCR196WH6327XTSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BCR196WH6327XTSA1
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 150MHz
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BCR196WH6327XTSA1

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BCR196E6327HTSA1 BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Einzelheiten
BCR196WE6327HTSA1 BCR196WE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Einzelheiten
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