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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › BCR183SH6433XTMA1
BCR183SH6433XTMA1

BCR183SH6433XTMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BCR183SH6433XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BCR183SH6433XTMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3920 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern BCR183SH6433XTMA1

BCR183SH6433XTMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BCR183SH6433XTMA1
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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