AUIRF7379Q

AUIRF7379Q - Infineon Technologies

Artikelnummer
AUIRF7379Q
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3751 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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AUIRF7379Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer AUIRF7379Q
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Leistung max 2.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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