2PS06017E32G28213NOSA1

2PS06017E32G28213NOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
2PS06017E32G28213NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE 1100VDC 325A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
27 pcs
Referenzpreis
USD 5640.1/pcs
Unser Preis
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2PS06017E32G28213NOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2PS06017E32G28213NOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -25°C ~ 55°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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