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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › GPA030A120MN-FD
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD - Global Power Technologies Group

Artikelnummer
GPA030A120MN-FD
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GPA030A120MN-FD PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GPA030A120MN-FD.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
9111 pcs
Referenzpreis
USD 2.926/pcs
Unser Preis
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GPA030A120MN-FD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GPA030A120MN-FD
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Leistung max 329W
Energie wechseln 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 330nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 40ns/245ns
Testbedingung 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 450ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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