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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › GPA020A120MN-FD
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD - Global Power Technologies Group

Artikelnummer
GPA020A120MN-FD
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GPA020A120MN-FD PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GPA020A120MN-FD.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
16406 pcs
Referenzpreis
USD 1.596/pcs
Unser Preis
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GPA020A120MN-FD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GPA020A120MN-FD
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 60A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Leistung max 223W
Energie wechseln 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/150ns
Testbedingung 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 425ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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