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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › GP1M006A065PH
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH - Global Power Technologies Group

Artikelnummer
GP1M006A065PH
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GP1M006A065PH PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GP1M006A065PH.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4326 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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GP1M006A065PH detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GP1M006A065PH
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1177pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR GP1M006A065PH

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
GP1M003A040CG GP1M003A040CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Einzelheiten
GP1M003A040PG GP1M003A040PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Einzelheiten
GP1M003A050CG GP1M003A050CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Einzelheiten
GP1M003A050FG GP1M003A050FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F Einzelheiten
GP1M003A050HG GP1M003A050HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 Einzelheiten
GP1M003A050PG GP1M003A050PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK Einzelheiten
GP1M003A080CH GP1M003A080CH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Einzelheiten
GP1M003A080FH GP1M003A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220F Einzelheiten
GP1M003A080H GP1M003A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220 Einzelheiten
GP1M003A080PH GP1M003A080PH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Einzelheiten