| Artikelnummer | GD5F4GQ4RBYIGY |
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| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Taktfrequenz | 120MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 2V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (6x8) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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GD5F4GQ4RBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4RBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4RCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4RCYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4UBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4UBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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GD5F4GQ4UCYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | Einzelheiten |
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