GD25WD05CTIG - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Artikelnummer	GD25WD05CTIG
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH
Technologie	FLASH - NOR
Speichergröße	512Kb (64K x 8)
Taktfrequenz	100MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	SPI - Quad I/O
Spannungsversorgung	1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GD25-15P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Einzelheiten
GD25-15P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Einzelheiten
GD25-19P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Einzelheiten
GD25-19P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Einzelheiten
GD25-24P-NF	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM	Einzelheiten
GD25-24P-NM	Laird Technologies IAS	ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE	Einzelheiten
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Einzelheiten
GD25D05CKIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45	Einzelheiten
GD25D05CTIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Einzelheiten
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	Einzelheiten