| Artikelnummer | MURT30010R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 100ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER | Einzelheiten |
