| Artikelnummer | MSRTA600100(A) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 600A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 600A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD Module |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER | Einzelheiten |
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MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | Einzelheiten |
