| Artikelnummer | MSRT25060(A) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 250A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 250A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 15µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
MSRT100100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT100120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT100140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT100160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT10060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT10080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT150100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT150120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER | Einzelheiten |
|
MSRT150120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER | Einzelheiten |
