| Artikelnummer | MBR60080CTR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MBR600100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | Einzelheiten |
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MBR600200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER | Einzelheiten |
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MBR60020CTRL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER | Einzelheiten |
