MBR500200CTR - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	MBR500200CTR
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Anode
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	250A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	920mV @ 250A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	3mA @ 200V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Twin Tower
Lieferantengerätepaket	Twin Tower
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MBR50005	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	Einzelheiten
MBR5001	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	Einzelheiten
MBR500100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER	Einzelheiten
MBR500100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER	Einzelheiten
MBR500150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR500150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR5002	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	Einzelheiten
MBR500200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR500200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR50020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER	Einzelheiten