MBR12060CT - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	MBR12060CT
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Anode
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	60V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	120A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	750mV @ 60A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	3mA @ 20V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Twin Tower
Lieferantengerätepaket	Twin Tower
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MBR10005	GOOD-ARK	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	Einzelheiten
MBR10100	SMC Diode Solutions	DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC	Einzelheiten
MBR10100 C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Einzelheiten
MBR10100-E3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Einzelheiten
MBR10100-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Einzelheiten
MBR10100C	JINTAI	MBR10100C JINTAI TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
MBR10100CD-E1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Einzelheiten
MBR10100CD-G1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Einzelheiten
MBR10100CDTR-E1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Einzelheiten
MBR10100CDTR-G1	Diodes Incorporated	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO252	Einzelheiten