GC2X10MPS12-247 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GC2X10MPS12-247
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 10A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	GC2X10MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3	Einzelheiten
	GC2X15MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 30A TO-247-3	Einzelheiten