GB25MPS17-247 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB25MPS17-247
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1700V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	110A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 25A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	30µA @ 1700V
Kapazität @ Vr, F	1596pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-2
Lieferantengerätepaket	TO-247-2
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-