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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › GA08JT17-247
GA08JT17-247

GA08JT17-247 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
GA08JT17-247
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GA08JT17-247 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GA08JT17-247.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1810 pcs
Referenzpreis
USD 54.26/pcs
Unser Preis
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GA08JT17-247 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GA08JT17-247
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 48W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 8A
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AB
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
GA0805A100FBABR31G GA0805A100FBABR31G Vishay Vitramon CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0805 Einzelheiten
GA0805A100FBABT31G GA0805A100FBABT31G Vishay Vitramon CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0805 Einzelheiten
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