GA040TH65 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GA040TH65
Teilstatus	Active
Struktur	Single
Anzahl der SCRs, Dioden	1 SCR
Spannung - Aus Zustand	6500V
Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max)	40A
Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max)	69A
Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max)	-
Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max)	30mA
Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	-
Aktuell - Halten (Ih) (Max)	780mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	-
Paket / Fall	SOT-227-2
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GA01PNS150-201	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 15000V 1A DO-201	Einzelheiten
GA01PNS150-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A	Einzelheiten
GA01PNS80-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON CARBIDE 8KV	Einzelheiten
GA037B	VHK	GA037B VHK DIP48 New Original Stocks	Einzelheiten
GA03JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB	Einzelheiten
GA0402A100FXAAC31G	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402	Einzelheiten
GA0402A100FXAAP31G	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402	Einzelheiten
GA0402A100FXBAC31G	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402	Einzelheiten
GA0402A100FXBAP31G	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402	Einzelheiten
GA0402A100FXXAC31G	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402	Einzelheiten