FST8345M - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	FST8345M
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	45V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	80A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	650mV @ 80A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1.5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	D61-3M
Lieferantengerätepaket	D61-3M
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FST-038	Panasonic Industrial Automation Sales	CHEMICAL RESISTANT FIBER LENS	Einzelheiten
FST08-2B-100E	Ohmite	SENSOR RTD 100OHM 0805	Einzelheiten
FST08-2B-1K0E	Ohmite	SENSOR RTD 1KOHM 0805	Einzelheiten
FST08-2B-500E	Ohmite	SENSOR RTD 500OHM 0805	Einzelheiten
FST08-B-100E	Ohmite	SENSOR RTD 100OHM 0805	Einzelheiten
FST08-B-1K0E	Ohmite	SENSOR RTD 1KOHM 0805	Einzelheiten
FST08-B-500E	Ohmite	SENSOR RTD 500OHM 0805	Einzelheiten
FST10-140-BKTS	Vishay Huntington Electric Inc.	RES CHAS MNT 140 OHM 5% 12W	Einzelheiten
FST100100	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 100A TO249AB	Einzelheiten
FST100150	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 50A TO249AB	Einzelheiten