• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Dioden - Gleichrichter - Einzeln › 1N2129AR
1N2129AR

1N2129AR - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
1N2129AR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
1N2129AR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
1N2129AR.pdf
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4851 pcs
Referenzpreis
USD 5.3561/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 1N2129AR

1N2129AR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 1N2129AR
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 60A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Chassis, Stud Mount
Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud
Lieferantengerätepaket DO-5
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 200°C
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 1N2129AR

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
1N200 1N200 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N201 1N201 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N202 1N202 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N203 1N203 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N204 1N204 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N205 1N205 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N2059 1N2059 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB Einzelheiten
1N206 1N206 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N207 1N207 EXSHINE silicon diode Einzelheiten
1N208 1N208 EXSHINE silicon diode Einzelheiten