• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Dioden - Gleichrichter - Einzeln › 1N1188
1N1188

1N1188 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
1N1188
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 400V 35A DO5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
1N1188 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
1N1188.pdf
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3393 pcs
Referenzpreis
USD 7.7395/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 1N1188

1N1188 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 1N1188
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 35A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Chassis, Stud Mount
Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud
Lieferantengerätepaket DO-5
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 190°C
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 1N1188

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Einzelheiten
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Einzelheiten
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten