• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Dioden - Gleichrichter - Einzeln › 1N1184R
1N1184R

1N1184R - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
1N1184R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
1N1184R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
1N1184R.pdf
Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4224 pcs
Referenzpreis
USD 6.082/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 1N1184R

1N1184R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 1N1184R
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 35A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Chassis, Stud Mount
Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud
Lieferantengerätepaket DO-5
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 190°C
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 1N1184R

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1082A 1N1082A EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1083 1N1083 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten