MB85R1001ANC-GE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

Artikelnummer	MB85R1001ANC-GE1
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	FRAM
Technologie	FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße	1Mb (128K x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	150ns
Zugriffszeit	150ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	48-TSOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MB85R1001	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Einzelheiten
MB85R1001ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP	Einzelheiten
MB85R1001PFTN	FUJITSU	1 M Bit (128 K 】 8)	Einzelheiten
MB85R1001PFTN-GE1	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Einzelheiten
MB85R1001_08	FUJITSU	1 M Bit (128 K 】 8)	Einzelheiten
MB85R1001_09	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K 】 8)	Einzelheiten
MB85R1002	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (64 K 】 16)	Einzelheiten
MB85R1002ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP	Einzelheiten
MB85R1002BGT-GE1	FUJITSU	Memory FRAM CMOS 1 M Bit (64 K 】 16)	Einzelheiten
MB85R1002PFTN	FUJITSU	Memory FRAM	Einzelheiten