| Artikelnummer | SI4532DY |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A, 3.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 10V |
| Leistung max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI4010-C2-GT | Silicon Labs | IC TX 27-960MHZ FSK 3.6V 10MSOP | Einzelheiten |
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SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | IC TX 27-960MHZ FSK 3.6V 10MSOP | Einzelheiten |
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SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO | Einzelheiten |
