SGW10N60RUFDTM - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	SGW10N60RUFDTM
Teilstatus	Obsolete
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	16A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	30A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 10A
Leistung max	75W
Energie wechseln	141µJ (on), 215µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	15ns/36ns
Testbedingung	300V, 10A, 20 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	60ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D²PAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	SGW10N60AFKSA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 20A 92W TO247-3	Einzelheiten
	SGW10N60RUFDTM	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 16A 75W D2PAK	Einzelheiten