IRLI610ATU

IRLI610ATU - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
IRLI610ATU
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3848 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IRLI610ATU detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRLI610ATU
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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