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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IRFR224BTM_TC002
IRFR224BTM_TC002

IRFR224BTM_TC002 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
IRFR224BTM_TC002
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IRFR224BTM_TC002 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IRFR224BTM_TC002.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3767 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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IRFR224BTM_TC002 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRFR224BTM_TC002
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 1.9A, 10V
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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