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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › HGTP12N60C3D
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGTP12N60C3D
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
HGTP12N60C3D PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
11205 pcs
Referenzpreis
USD 2.4214/pcs
Unser Preis
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HGTP12N60C3D detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGTP12N60C3D
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 24A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 96A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Leistung max 104W
Energie wechseln 380µJ (on), 900µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 40ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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