HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
HGTG30N60C3D
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 63A 208W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
165 pcs
Referenzpreis
USD 7.84/pcs
Unser Preis
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HGTG30N60C3D detaillierte Beschreibung

Artikelnummer HGTG30N60C3D
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 63A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 252A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
Leistung max 208W
Energie wechseln 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 162nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 60ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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