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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › FQU12N20TU
FQU12N20TU

FQU12N20TU - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FQU12N20TU
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FQU12N20TU PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
14272 pcs
Referenzpreis
USD 1.54/pcs
Unser Preis
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FQU12N20TU detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FQU12N20TU
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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