FQB12N60TM_AM002 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FQB12N60TM_AM002
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 5.3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FQB12N50TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK	Einzelheiten
FQB12N60C	FAIRC	FQB12N60C FAIRC TO-263.. New Original Stocks	Einzelheiten
FQB12N60CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK	Einzelheiten
FQB12N60TM_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK	Einzelheiten