FQB10N20TM - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FQB10N20TM
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FQB10N20CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK	Einzelheiten
FQB10N20L	FAIRC	FQB10N20L FAIRC TO-263.. New Original Stocks	Einzelheiten
FQB10N20LTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK	Einzelheiten
FQB10N20TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK	Einzelheiten
FQB10N50CFTM-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 10A DPAK	Einzelheiten
FQB10N50CFTM_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 10A DPAK	Einzelheiten
FQB10N60C	FAIRC	FQB10N60C FAIRC TO-263.. New Original Stocks	Einzelheiten
FQB10N60CTM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK	Einzelheiten
FQB11N40	FAIRC	FQB11N40 FAIRC TO-263.. New Original Stocks	Einzelheiten
FQB11N40C	FAIRC	FQB11N40C FAIRC TO-263.. New Original Stocks	Einzelheiten