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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › FJN3315RBU
FJN3315RBU

FJN3315RBU - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FJN3315RBU
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FJN3315RBU PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
FJN3315RBU.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4155 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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FJN3315RBU detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FJN3315RBU
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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