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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › FJN3310RTA
FJN3310RTA

FJN3310RTA - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FJN3310RTA
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FJN3310RTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3699 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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FJN3310RTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FJN3310RTA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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