FGY75N60SMD - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FGY75N60SMD
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	150A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	225A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 75A
Leistung max	750W
Energie wechseln	2.3mJ (on), 770µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	248nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	24ns/136ns
Testbedingung	400V, 75A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	55ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3 Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	PowerTO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	FGY75N60SMD	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 150A 750W POWER-247	Einzelheiten
	FGY75T120SQDN	ON Semiconductor	IGBT 1200V 75A UFS	Einzelheiten