FGL60N100BNTD - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FGL60N100BNTD
Teilstatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1000V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
Leistung max	180W
Energie wechseln	-
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	275nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	140ns/630ns
Testbedingung	600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	1.2µs
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket	TO-264
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FGL60N100BNTD	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 1000V 60A 180W TO264	Einzelheiten
FGL60N100BNTDTU	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 1000V 60A 180W TO264	Einzelheiten
FGL60N100DTU	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 1000V 60A 176W TO264	Einzelheiten