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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › FGB20N60SF
FGB20N60SF

FGB20N60SF - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGB20N60SF
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 40A 208W D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGB20N60SF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
16041 pcs
Referenzpreis
USD 1.6244/pcs
Unser Preis
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FGB20N60SF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGB20N60SF
Teilstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 60A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
Leistung max 208W
Energie wechseln 370µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 13ns/90ns
Testbedingung 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D²PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FGB20N60SF

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
FGB20N60SF FGB20N60SF Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 40A 208W D2PAK Einzelheiten
FGB20N60SFD FGB20N60SFD Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 40A 208W D2PAK Einzelheiten
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor IGBT 600V 40A 208W D2PAK Einzelheiten
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