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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › FGA60N65SMD
FGA60N65SMD

FGA60N65SMD - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGA60N65SMD
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGA60N65SMD PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
692 pcs
Referenzpreis
USD 4.45/pcs
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FGA60N65SMD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGA60N65SMD
Teilstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 180A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Leistung max 600W
Energie wechseln 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 189nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 18ns/104ns
Testbedingung 400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 47ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Gewicht -
Ursprungsland -

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